سامسونگ سال آینده پردازنده ۲ نانومتری می‌سازد

سامسونگ سال آینده پردازنده ۲ نانومتری می‌سازدمطالب پردازندهسخت افزارسه‌شنبه ۱۱ اردیبهشت ۱۴۰۳ - ۱۵:۱۵مطالعه 1 دقیقهمجتبی بوالحسنیتبلیغاتتبلیغاتتبلیغاتطبق گزارش منابع كره‌ای، سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری را از سال ۲۰۲۵ آغاز خواهد كرد .

تبلیغاتواحد تراشه‌سازی سامسونگ طی چند سال اخیر وضعیت چندان خوبی را تجربه نكرده است. هیچ شركت مطرحی غیر از Samsung LSI (كه تراشه‌های اگزینوس را طراحی می‌كند)، از لیتوگرافی ۳ نانومتری و نسل جدیدتر لیتوگرافی ۴ نانومتری شركت Samsung Foundry استفاده نكرده‌اند .

با وجود این، سامسونگ فاندری همچنان روی توسعه‌ی لیتوگرافی ۲ نانومتری كار می‌كند.طبق گزارش Business Korea، سامسونگ بر توسعه‌ی نسل بعدی ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) تمركز دارد كه در فرایند تولید تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد .

تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری مبتنی‌بر این فناوری برای سال آینده برنامه‌ریزی شده است. GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است كه باعث بهبود جریان و بازدهی انرژی می‌شود. این فناوری با نسل اول فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry معرفی شد و تاكنون هیچ شركت دیگری از جمله AMD، اپل، مدیاتك، انویدیا و كوالكام از آن استفاده نكرده‌اند .

انتظار می‌رود System LSI اولین شركتی باشد كه از فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry استفاده می‌كند.مقالات مرتبط:سامسونگ بودجه كارخانه بزرگ تگزاس را به ۴۴ میلیارد دلار می‌رسانداولین پردازنده ۲ نانومتری دنیا را اینتل می‌سازد؛ راه‌اندازی خط تولید در سال ۲۰۲۴تراشه‌های مبتنی‌بر فناوری ۳ نانومتری GAA نسل اول درمقایسه‌با تراشه‌های ساخته‌شده با فرایند ۵ نانومتری Samsung Foundry، تا ۱۶ درصد كاهش ابعاد، ۲۳ درصد بهبود عملكرد و ۴۵ درصد بازدهی انرژی بهتری دارند .

نسل دوم فناوری ۳ نانومتری سامسونگ، ۳۵ درصد كاهش ابعاد تراشه، ۳۰ درصد بهبود عملكرد و ۵۰ درصد بازدهی انرژی بهتری ارائه خواهد داد. طبق گزارش‌ها، فناوری GAA نسل سوم كه در تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد، ۵۰ درصد كاهش ابعاد و ۵۰ درصد عملكرد بهتر را برای تراشه‌ها به ارمغان می‌آورد .

منبع : https://www.zoomit.ir/processor/420391-samsung-mass-production-2nm-chips-2025/